Первая страница
Наша команда
Контакты
О нас

    Головна сторінка



"Компонентна база рез"

"Компонентна база рез"




Сторінка5/17
Дата конвертації22.04.2017
Розмір1.01 Mb.
ТипРеферат
1   2   3   4   5   6   7   8   9   ...   17

Сумісне використання ІС та ЕРЕ


Спільне використання ІС і ЕРЕ. Основні елементи, складаючи у сукупності елементну базу (ЕРЕ, транзистори, ЕВП, ІС та УФЕ), окремо не можуть забезпечити ефективне виконання функцій, необхідних для роботи РЕА, але вони та доповнюють один одного. Кожен з цих елементів має свої переваги і недоліки. Різноманітність елементної бази ускладнює роботу по проектуванні РЕА, так як вимагає більш широкої підготовки конструкторів і розгляду великої кількості варіантів реалізації РЕА, отже великої ерудиції конструктора. Однією з основних складових елементної бази є інтегральні мікросхеми. Вони мають дві істотні розрізняються різновиди - аналогові і цифрові мікросхеми.
Дефект (від лат. defectus) - вада, псування, пошкодження, ненормальність, відхилення, патологія.
Різновид (рос. разновидность, англ. species, sort, variation, variety, нім. Abart f) - у мінералогії - окремі члени мінерального виду змінного складу.
Аналогові мікросхеми, в більшості своїй гібридні ІС (ГІС), великі гібридні ІС (ВГІС), будучи компактними і технологічними, дозволили ефективно вирішити ряд завдань, стоячих перед РЕА, а саме виконати функції детекторів, генераторів, підсилювачів, аналогових селективних елементів на основі плівкових індуктивностей і ємностей і т. д.
Генератор (рос. генератор, англ. generator, нім. Generator m) - пристрій, апарат чи машина, що виробляє якийсь продукт (газ, лід тощо), електричну енергію (генератор електромашинний, радіосигналів тощо), створюють електричні, електромагнітні, світлові або звукові сигнали - коливання, імпульси (наприклад, ламповий, магнетронний, квантовий, ультразвуковий генератор).
Цифрові мікросхеми, в яких над дискретними сигналами виконуються логічні функції (операції І, НЕ, АБО і т. д.), отримали більший розвиток. При цьому мають на увазі напівпровідникові ІС. Виграш в надійності, габаритах, вартості таких мікросхем істотно пов'язаний зі ступенем інтеграції. Підвищення ступеня інтеграції ІС при відповідному рівні технології, що забезпечує досягнення високого відсотка виходу придатних виробів, дозволяє підвищити надійність, поліпшити массогабаритні характеристики, ефективність виробництва та застосування.
Ефекти́вність виробни́цтва - найважливіша якісна характеристика господарювання на всіх рівнях.
 Це викликало швидке збільшення ступеня інтеграціі і використання БІС зі степенем інтеграції і НВІС зі степенем інтеграції і більше елементів.Однак підвищення ступеня інтеграції призводить до труднощів застосування таких ІС. Це пов'язано з тим, що при збільшенні степеня інтеграції зменшується «гнучкість» або універсальність ІС. При середньому ступені інтеграції можна використовувати стандартні, що випускаються в масовій кількості ІС, поєднуючи їх в різних комбінаціях і домагаючись виконання різних функцій. Ускладнення функцій досягається шляхом збільшення стандартних ІС. У напівпровідникових ВІС і НВІС кількість корпусів зменшується, маса, габарити, вартість елемента ІС (транзистора) зменшується, але можливість отримання різних функцій на основі однієї конструктивно і технологічно закінченої БІС різко обмежується, кількість необхідних типів ІС збільшується.

Сумісне використання ПФЕ та ЕРЕ


Одночасне використання інтегральних мікросхем і ЕРЕ дає змогу вирішити багато проблем,що виникають при конструювані та виготовлені радіоапаратури.Інколи навіть при сумісному їх використані потрібних результатів досягти досить важко.Наприклад функції фільтрації та запам'ятовування. 
LС-фільтри технологія виробництва яких порівняно не складна,мають низьку стабільність та добротність. При зниженні частоти їх розміри зростають стабільність погіршується.

Якщо збільшувати стабільность та добротность,то значно зростуть розміри і вартість-що зробить їх не конкурентно спроможними порівняно із іншими зразками.У електромеханічних та кварцових фільтрів порівняно з LС-фільтрами кращі електричні параметри, але їхнє виготовлення технологічно є більш складним-потрібна дуже точна обробка деталей,а потім складна збірка.
Кварц - мінерал класу простих оксидів і гідроксидів, головний мінерал групи кремнеземів, широко розповсюджений в літосфері. Складається з діоксиду кремнію каркасної будови.
Це відповідно підвищує їхню вартість.
 
У
інтегральній мікроелектроніці також є проблеми з фільтрацією, наприклад, на частотах вище 0,1 ... 5 МГц.Для цього в радіоелектронних пристроях при певних умовах краще викорристати прилади фільтрації на основі функціональної електроніки,. 
Також проблеми виникають і при виготовлені запам'ятовуючих пристроїв.Це повязано із великими обсягами інформації,точніше із їхньою організацією-із швидкістю зчитування.Виготовлення таких пристроїв потребує високої точності обробки.Останім часом широкого застосування зазнали запам'ятовуючі пристрої на основі напівпровідникових БІС пам'яті з невеликою массою та енергоекономні,використовуючи які можливо отримати високі швидкодію і надійність,що є чи не найголовнішими характеристиками пристроїв цього типу.

З вище сказаного можна зробити висновок,що навіть при сучасному розвитку технологій все таки зустрічаються деякі проблеми при конструювані радіоелектронних пристроїв.
Перспективним напрямком в сучасних умовах є комплексне застосування в радіоелектронних апаратах інтегральної мікроелектроніки, в тому числі і у вигляді великих інтегральних схем,надвеликих інтегральних схем,гібридних,а також великих гібридних інтегральних схем, функціональної електроніки і дискретних радіоелементів.
1   2   3   4   5   6   7   8   9   ...   17



  • Сумісне використання ПФЕ та ЕРЕ